ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Česky English
ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
ČVUT - České vysoké učení technické v Praze
Dílčí úkoly  > 3D a Semi-3D polovodičové detektory
3D a Semi-3D polovodičové detektory

Cíle:
  • vyvinout a uvést do praxe neutronové detektory s maximální detekční účinností, které jsou založeny na křemíkových detektorech s konverzní vrstvou;
  • vyvinout a obhájit metodiku materiálových, elektronických a detekčních testů radiačně poškozených 3D detektorů.
Semi-3D detektory

Semi-3D detektory jsou podobné planárním detektorům, jejich povrch je však navíc upraven elektro-chemickým leptáním do tvaru pravidelně uspořádaných pyramid, sloupků či prohlubní. Cílem této úpravy je zvětšit plochu aktivního povrchu detektoru a tu pokrýt konverzní vrstvou citlivou na termální neutrony. Zvětšení aktivní plochy detektoru způsobí zvětšení detekční účinnosti, což potvrzují jak numerické výpočty tak provedené experimenty. Návrh Semi-3D detektorů ve tvaru pyramid je původní návrh Dr. Pospíšila.

3D detektory

3D detektory navržene S. Parkerem jsou novou generací polovodičových zařízení. Sběrné elektrody, oproti předchozím typům polovodičových detektorů, jsou ve tvaru velice úzkých válečků pronikajících skrze celou tloušťku detektoru kolmo k jeho povrchu. Elektrody jsou vyhloubené elektrochemickým leptáním a dopované pomocí silně dotovaného polykrystalického křemíku. 3D detektory budou proto vykazovat krátké doby sběru náboje a budou poskytovat velice rychlé signály. Lze očekávat, že oba jevy budou mít podstatný vliv na vylepšení radiační tolerance.


Řešitel

Spolupracovníci


Články v impaktovaných časopisech
(1)
Textový výpis
Rok

Ocenění Název Autor OceněníČasopis Rok
Radiation hardness properties of full-3D active edge silicon sensors Da Viá C.; Hasi J.; Kenney C.; Linhart V.; Parker S.; Slavíček T.; Watts S.; Bém P.; Horažďovský T.; Pospíšil S. NIM A 587 (2008) 243–249 2008
Hledat
10th Anniversary of IEAP