ÚTEF - Ústav technické a experimentální fyziky

Dílčí úkoly > Detektory pracující při pokojově teplotě

Detektory pracující při pokojově teplotě

Cíle:

Poskytovat detailní studie chování polovodičových detektorů se širokým zakázaným pásmem.
Vyvinout rychlý spektrometrický detektor fotonů záření gama o nízké energii (jednotky až desítky keV) schopný pracovat i za velmi obtížných podmínek.

Obecný popis

Spektrometrie fotonového záření (paprsky X či záření gama) lze standardně provádět pomocí buď Si(Li) detektorů (tj. křemíkových detektorů dotovaných lithiem) anebo HPGe detektorů (tj. detektorů vyrobených z vysoce čistého germania). Oba typy detektorů je však třeba chladit na teplotu kapalného dusíku, a to z důvodu snížení závěrného proudu a elektronického šumu. Nutnost chladit detektory je jejich velkou nevýhodou, která se nejvíce projeví při potřebě mobilního měření.

Hlavní myšlenkou výzkumu polovodičových detektorů fotonového záření pracujících při pokojové teplotě je použít pro výrobu těchto detektorů polovodiče s velkou šířkou zakázaného pásma. Jedná se zejména o slitiny dvou (např. GaAs, CdTe, InP, ...), tří (např. CdZnTe, InAlP, ...), nebo až čtyř různých prvků, obvykle s vysokým protonovým číslem. Detektory vyrobené z takového polovodiče budou mít v porovnání s křemíkovými a germaniovými detektory menší závěrný proud a větší detekční účinnost na fotonové záření. Zmenšení závěrného proudu má příčinu v menší pravděpodobnosti termální emise elektronů (resp. děr) do vodivostního (resp. valenčního) pásu. Zvětšení detekční účinnosti souvisí se skutečností, že pravděpodobnost fotoefektu roste s pátou mocninou protonového čísla. Slabinou těchto detektorů je jejich spektrometrické rozlišení, které v porovnání s výše uvedenými kryogenními detektory je horší.

Řešitel

Linhart Vladimir

UTEF

Spolupracovníci

Slavíček Tomáš

UTEF

Články v impaktovaných časopisech
(9)

Příspěvky ve sbornících konferencí
(2)

Studenské práce
(0)

Ostatní publikace
(0)

Vše
(11)

Textový výpis

Název	Autor	Časopis	Rok
Correlation of electrical and optical properties with charge collection efficiency of In-doped and In+Si co-doped CdTe	Belas E.; Slavíček T.; Linhart V.; Grill R.; Franc J.; Hlídek P.; Höschl P.	NIM A	2008
Modified Hecht model qualifying radiation damage in standard and oxygenated silicon detectors from 10MeV protons	Charbonnier A.; Charron S.; Houdayer A.; Lebel C.; Leroy C.; Linhart V.; Pospíšil S.	NIM A 576 (2007) 75–79	2007
Role of electrode metallization in performance of semi-insulating GaAs radiation detectors	Dubecký F.; Boháček P.; Sekáčová M.; Zaťko B.; Lalinský T.; Linhart V.; Mudroň J.; Pospíšil S.	NIM A 576 (2007) 87–89	2007
Etched trenches in technology of monolithic strip detectors based on semi-insulating GaAs	Perďochová- Šagátová A.; Dubecký F.; Nečas V.; Linhart V.	NIM A 563 (2006) 74–77	2006
Experimental analysis of the electric field distribution in GaAs radiation detectors	Perďochová- Šagátová A.; Linhart V.; Dubecký F.; Zaťko B.; Nečas V.; Pospíšil S.	NIM A 563 (2006) 187–191	2006
Measurements of fast-neutron-induced signals in pad detectors	Linhart V.; Bém P.; Gotz M.; Honusek M.; Pospíšil S.; Šimečková E.	NIM A 563 (2006) 263–267	2006
Radiation damage study of GaAs detectors irradiated by fast neutrons	Linhart V.; Bém P.; Gotz M.; Honusek M.; Mareš J.; Slavíček T.; Sopko B.; Šimečková E.	NIM A 563 (2006) 66–69	2006
Delimitation of Fullerit Use Potential for Radiation Detector Manufacturing	Linhart V.; Belas E.; Sodomka J.; Sopko B.	Proceedings of Workshop 2005, Czech Technical University in Prague, Vol. 9, 2005, ISBN-80-01-03201-9.	2005
Photoconductivity Spectroscopy of Deep Levels in CdTe	Franc J.; Hlídek P.; Belas E.; Linhart V.; Pospíšil S.; Grill R.	IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, VOL. 52, NO. 5, PART 3, OCTOBER 2005, pp. 1956-1960	2005